شماره 46 - بهار 1396
ICNS7
شماره 47-تابستان 1396
فهرست

بهینه سازی برخی از مشخصه های آشکارساز نقطه کوانتومی جدید GaN/AlGaN

نشریه: شماره 46-بهار 1396 - مقاله 6   صفحات :  49 تا 54



کد مقاله:
46-06

مولفین:
علی واحدی: دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز - گروه فیزیک
علی واحدی: دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز - فیزیک


چکیده مقاله:

در این تحقیق برخی از مشخصه های آشکار ساز مبتنی برساختارجدید نقطه کوانتومی کروی GaN/AlGaN مطالعه شده است. برای این منظور ابتدا با استفاده ازتقریب جرم موثرمعادله شرودینگر در دستگاه مختصات کروی حل شد، سپس با استفاده از توابع موج، عناصر ماتریس گذار دو قطبی و قدرت نوسان کنندگی، ضریب جذب بدست آمد. نتایج نشان دادند افزایش اندازه نقص یعنی هسته و کسر مولی علاوه بر تغییر ضریب جذب سبب جابجایی پیک آن نیز می شوند. افزایش طول عمر تراز فقط سبب کاهش مقدار جذب می شود و قله جذب نیز بدون تغییر می ماند، همچنین با توجه به نوع ساختار افزایش اندازه پوسته نقطه کوانتومی تغییرات محسوسی درمنحنی ایجاد نمی کند.


Article's English abstract:

In this article, some Characteristics of new GaN / AlGaN spherical quantum dot based detector are studied. For this purpose, Schrödinger equations in spherical coordinate system in effective mass approximation are solved, and then wave function, transition matrix element, oscillator strength and absorption coefficient are obtained. The results show that absorption coefficient changes and its peak shifts with increase of mole fraction and defect size. With increase of life time expansion, absorption coefficient decrease and approximately peak wavelength don’t change. Also, according to the arrangement of structure, with increase size of quantum dot shell, absorption coefficient does not Imperceptibly variations.


کلید واژگان:
بهره کوانتومی، ضریب جذب ، نقاط کوانتومی، نانوساختارهای AlGaN/GaN

English Keywords:
Absorption Coefficient, AlGaN/GaN nanostructure, Quantum dots, Quantum Efficiency

منابع:
ندارد

English References:
1. S, J, Liang; W, F, Xie; The hydrostatic pressure and temperature effects on a hydrogenic impurity in a spherical quantum dot. Eur, Phys, J, B 81: 79-84, 2011, 2. H, Absalan; A, SalmanOgli; R, Rostami; Simulation of a broadband nano-biosensor based on an onion-like quantum dot–quantum well structure. Quantum Electronics 43(7): 674 – 678, 2013, 3, SH, Asadpour; Z, Golsanamlou; H, Rahimpour; H, Soleimani; Infrared and terahertz signal detection in a quantum dot nanostructure. Phys, E, 54:45–52. 2013, 4, M, Jr, Bruchez, et al., Semiconductor nanocrystals as fluorescent biological labels. Science, 281: 2013–2016, 1998, 5, M, Kouhi; A, Vahedi; A, Akbarzadeh; Y, Hanifehpour; S. W, Joo; Investigation of quadratic electro-optic effects and electro-absorption process in GaN/AlGaN spherical quantum dot. Nanoscale Research Letters. 9: 9-13, 2014, 6, A, Rostami; et al; Defect-induced enhancement of absorption coefficient and electroabsorption properties in GaN/AlGaN centered defect quantum box (CDQB) nanocrystal. Physica B. 403: 2789–2796, 2008, 7, A,Vahedi; M, kouhi; A, Rostami; Third order susceptibility enhancement using GaN based composite nanoparticle. Optik. 124: 6669-6675, 2013, 8, A, Asgari; M, Kalafi; L, Faraone; The effects of GaN Capping Layer Thickness on Two-dimensional Electron Mobility in GaN/AlGaN/GaN Heterostructures. Physica E. 25: 431-437, 2005, 9, J, Bleuse; S, Carayon; P, Reiss; Optical Properties of Core/Multishell Cdse/Zn (S, Se) nanocrystals. Physica E, 21(2): 331-335, 2004, 10, A, Aharoni; T, Mokari; T, Popov; U, Banin; Synthesis of InAs/CdSe/ZnSe core/shell1/shell2 structures with bright and stable near-infrared fluorescence. J, Am, Ch, Soc. 128(1): 257-264, 2006, 11, p, k, kandaswamy; f, guillot; and et all; GAN/ALN short period superlattices for intersubband opto electronics: asystematic study of their epitaxial growth, design, and performance. J, Appl, Phys, 104(9), 093501, 2008, 12, O, K, Chang; W, H, Sung; K, Sung and et al; High-performance graphene quantum-dot photodetectors. Scientific Reports, 4: 5603, 2014, 13, A, D, Iacovo; C, Venettacci; L, Colace; L, Scopa; S, Foglia; PbS Colloidal Quantum Dot Photodetectors operating in the near infrared. Scientific Reports, 6: 37913, 2016, 14, S, Siontas; P, Liu; A, Zaslavsky; and D, Pacifici; Noise performance of high-efficiency germanium quantum dot photodetectors. Appl, Phys, Lett, 109: 053508, 2016. 15, R, K, Gujral; V, Damodaran; K, Ghosh;A Theoretical Analysis of the Dark Current in Quantum Dot Infrared Photodetector using Non- Equilibrium Green’s Function Model. Ind, J, of Science and Technology. 9 (36): 102908, 2016,



فایل مقاله
تعداد بازدید: 302
تعداد دریافت فایل مقاله : 7



طراحی پرتال|طراحی پورتالطراحی پرتال (طراحی پورتال): آرانا نتورک